消息显示三星电子、SK 海力士两家韩国存储大厂，都打算在 ASML EUV 光刻机上面投入超过 10 万亿韩元，投资区间在 10 万亿到 20 万亿韩元之间，这笔钱主要用来抢 EUV 光刻机的交付配额，保障先进 DRAM、HBM 相关芯片扩产。现在 AI 带动存储芯片需求上涨，但是 ASML 的 EUV 光刻机产能跟不上，2027 到 2028 年会出现供给缺口，设备交付周期已经拉长到原来两倍，谁先下单锁定排期，谁才能按时建新厂、落地新制程。SK 海力士已经在今年 3 月确认了 11.95 万亿韩元的 EUV 采购计划，设备会在 2026 至 2027 年交付，供给龙仁 Y1 晶圆厂；三星这边目标是 2028 年把 High NA EUV 用在 DRAM 量产，配套平泽 P5 工厂，计划 2027 年中导入相关设备。两家都在提前布局，后续还存在追加订单的可能性，会继续增加资本开支。
一、本次投资的核心原因
- 市场需求端：AI 服务器、HBM、先进 DRAM 需求持续走高，两家企业都要扩产，新制程存储芯片离不开 EUV 光刻机。
- 供给端约束：ASML 产能有限，已经预警 2027-2028 年 EUV 设备供不应求，交付周期大幅变长，晚下单就拿不到设备。
- 竞争需求：存储行业竞争激烈，先进制程迭代速度快，拿到 EUV 设备才能守住技术和产能优势。
二、两家企业设备落地安排
- SK 海力士
- 三星电子
计划金额：11.95 万亿韩元（已官宣）
交付时间：2026-2027 年
配套工厂：龙仁 Y1 晶圆厂，2027 年 2 月启用首个无尘室
用途：推进 1c DRAM 制程，配套 HBM 生产
计划金额：10-20 万亿韩元区间
设备类型：含 High NA EUV
配套工厂：平泽 P5 工厂
时间节点：2027 年中导入设备，2028 年实现 High NA EUV DRAM 量产
用途：先进 DRAM、HBM 生产线扩产
三、这件事带来的影响
- 对三星、SK 海力士：锁定设备排期，保障先进存储芯片扩产节奏，不过大额设备采购会拉高资本支出。
- 对 ASML：存储客户订单持续增加，EUV 设备订单饱满，存储业务占比进一步提升。
- 对全球存储行业：先进 DRAM 产能扩张提速，中长期会改变高端存储芯片供给格局，EUV 配额也会成为存储厂商的核心资源。
【相关 FAQ】
问题 1：三星电子、SK 海力士向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元，这笔钱是一次性付清吗？
回答 1：不是一次性付清，属于分批采购、分期交付的订单，SK 海力士的 11.95 万亿韩元订单是分摊在 2026 至 2027 两年，三星的 ASML EUV 光刻机投资也是跟着工厂建设进度分批下单、付款，后续还可能根据产能需求追加投资。
问题 2：三星电子、SK 海力士砸钱采购 ASML EUV 光刻机，主要用来生产什么芯片？
回答 2：三星电子、SK 海力士采购 ASML EUV 光刻机，核心用来生产先进 DRAM，同时支撑 HBM 这类 AI 配套存储芯片，SK 海力士用来推进 1c DRAM，三星目标是 2028 年用 High NA EUV 做 DRAM 量产。
问题 3：为什么三星电子、SK 海力士都要抢 ASML EUV 光刻机配额？
回答 3：因为 ASML EUV 光刻机产能有限，官方预警 2027-2028 年设备供给不足，交付周期翻倍，三星电子、SK 海力士想要落地先进制程、扩产 HBM 和 DRAM，必须提前锁定 ASML EUV 光刻机的交付排期，不然新工厂没法按时投产。
【参考资料】
[2026-11-10]（消息称三星电子、SK 海力士均将向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元）新浪科技
[2026-11-10]（三星电子、SK 海力士竞相订购 EUV 光刻设备 双方各自投资额最高达 20 万亿韩元）财联社
[2026-11-10]（存储双雄争夺 EUV 光刻机 以支撑先进 DRAM 扩产 单家投资上限接近千亿）科创板日报
[2026-11-09]（三星、SK 海力士争抢 EUV 交付配额 加码先进 DRAM 扩产）新浪财经
[2026-11-08]（EUV 光刻机，太缺了，巨头疯抢）腾讯新闻
【免责声明】
本内容仅基于公开新闻信息整理，三星电子、SK 海力士向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元属于市场消息，并非企业最终正式公告，实际投资金额、交付时间、设备采购规模均有可能发生变动，不构成任何投资建议。