第九届进博会上，上海微电子 SMEE 展出 SSC800（KrF）、SSB800（I‑line）新一代前道干式扫描投影光刻机剖视模型；展出的是展示模型，对应的实物设备已经定型量产、进入国内头部晶圆厂，成像、套刻精度、产能指标直追国际同类型干式光刻机标杆，是国内前道光刻设备自主化的重要阶段性成果。这套平台是全新自研标准化架构，核心子系统全部自主开发：高精度物镜与照明、高速双工件台 + 掩模台、自动物料传输、对准调平传感链路打通，关键零部件国产化率超 90%，设备稼动率超 92%，累计流片已突破千万片；需要明确区分，本次展出机型属于干式 KrF / I‑line，并非 EUV 极紫外光刻机。
一、两大机型定位与制程
| 型号 | 光源 | 典型制程 | 主要适用场景 |
|---|---|---|---|
| SSB800 | I‑line（365nm） | 280nm 及以上 | 功率器件、模拟芯片、MEMS、分立器件 |
| SSC800 | KrF（248nm） | 110nm 及以上 | 存储、逻辑、驱动、Micro‑LED 等精细化前道工艺 |
二、核心技术亮点清单
- 自研双工件台架构：一套平台兼顾曝光与预对准并行，提升晶圆吞吐，同时压低套刻误差，是追赶海外同代机型的关键。
- 国产大 NA 投影物镜：光学镜头、照明系统自主设计制造，是决定分辨率、线宽均匀性的核心瓶颈。
- 整机一体化物料与对准系统：包含晶圆传输、掩模传输、多传感器联合调平，适配 12 英寸产线自动化流程。
- 标准化平台思路：KrF 与 I‑line 共用底层整机框架，降低产线运维、备件、工艺迁移成本。
- 量产验证跑通：不是实验室样机，设备已经在国内逻辑、存储产线上长期在线跑量产，不是仅停留在样机阶段。
三、国产干式光刻机 vs 国际标杆（同代干式）
| 对比项 | SMEE SSC800 KrF | 海外主流商用 KrF 扫描光刻机 |
|---|---|---|
| 设备类型 | 干式扫描投影 | 干式扫描投影 |
| 对标能力 | 成像、套刻、吞吐对标同代水平 | 成熟多年，工艺库、配方生态积累深厚 |
| 国产化 | 核心零部件国产化＞90% | 全球化供应链 |
| 差异边界 | 追赶同代干式；不涉及 EUV | 同时拥有 KrF、ArF、EUV 完整谱系 |
| 短板 | 配套光刻胶、工艺配方、长期全球生态仍在积累 | 工艺生态、长期版本迭代积累更强 |
四、容易混淆的关键点
- 本次展出 ≠ EUV：SSC800 / SSB800 属于 KrF / I‑line 干式，用于成熟制程，和用于 7nm/5nm 的极紫外 EUV 是完全不同赛道。
- 展出物是剖视模型：方便展示光路、内部机电布局；量产实物已经交付晶圆厂。
- “直追标杆” 限定在同类型干式光刻机，不是对标 EUV。
- 成熟制程光刻机是国内芯片自主供应链的刚需：功率半导体、存储、模拟、驱动芯片都高度依赖 KrF、I‑line 设备。
五、产业价值
成熟制程芯片的市场体量巨大，车规功率芯片、电源管理、存储、显示驱动都离不开 KrF / I‑line 光刻机。这套设备稳定量产，意味着国内成熟制程产线可以降低装备外部依赖；同时这套平台积累的精密光学、运动控制、对准、热控、整机集成能力，也是继续向更高阶光刻设备攻关的技术底座。
【相关 FAQ】
问题 1：这次亮相的新一代光刻机，是不是国产 EUV？
回答 1：不是。本次上海微电子展出的 SSC800（KrF）、SSB800（I‑line）是干式前道光刻机，面向成熟制程，不属于极紫外 EUV 光刻机。
问题 2：SSC800 和 SSB800 的区别是什么？
回答 2：SSB800 是 I‑line（365nm）机型，主打 280nm 及以上制程，多用于功率、模拟芯片；SSC800 是 KrF（248nm）机型，可做到 110nm 及以上，面向存储、逻辑、Micro‑LED 等更精细的成熟制程。
问题 3：这次展出的只是模型，设备还没有量产吗？
回答 3：展台上是剖视展示模型，方便看光路与内部结构；对应的实物设备已经定型、规模化交付，在国内头部逻辑、存储产线量产运行，累计流片超千万片。
问题 4：“性能直追国际标杆” 是对标哪一类设备？
回答 4：对标海外同代商用 KrF、I‑line 干式扫描光刻机，套刻精度、成像质量、产能、稼动率等指标达到同梯队水平，并不是对标 EUV。
【参考资料】
[2026-11-08]（重大突破！我国新一代光刻机模型亮相进博会）中国青年网
[2026-11-09]（重大突破！我国新一代光刻机模型亮相 性能直追国际标杆）太平洋科技
上海微电子、上海证券报进博会现场报道
【免责声明】
本文基于进博会现场发布、上海微电子公开介绍与行业媒体报道整理；对标 “国际标杆” 仅限于同类型 KrF / I‑line 干式光刻机；光刻工艺最终良率还和光刻胶、掩膜版、刻蚀、工艺配方等整套产线配套强相关；本文不构成投资参考。