全球首创，英飞凌 12 英寸碳化硅功能器件成功落地，宽禁带制造迎来里程碑

英飞凌正式对外官宣，已经在奥地利菲拉赫晶圆厂，在标准全尺寸产线里面把 12 英寸也就是 300 mm 的碳化硅晶圆加工出具备完整功能的功率器件，是全球第一家达成这项成果的厂商，同时配套验证了 12 英寸碳化硅衬底冷切割工艺，给碳化硅从现在主流的 8 英寸往大尺寸升级打通关键路径，也代表宽禁带半导体制造跳出小试、中试的限制，向着规模化、低成本量产迈进。之所以这个突破被行业看重，是因为大尺寸碳化硅最大难点不只是衬底本身，还要兼容成熟产线设备、控制良率、降低单片分摊成本，英飞凌选择复用现有硅基产线设备来完成加工，不用从头新建一套专属产线，大幅降低后续扩产门槛，而同期验证的冷切割技术，则用来减少晶锭切片时的材料损耗，进一步压低上游衬底成本。

本次两大核心技术成果清单

• 12 英寸碳化硅功能性功率器件：在标准晶圆厂完成全套工艺流片，产出可正常工作的 SiC 功率器件，不是单纯的衬底样品，将在慕尼黑 electronica 展会对外展出实物。
• 碳化硅衬底冷切割 Cold Split：由收购的 SILTECTRA 技术演化而来，在德国德累斯顿工厂完成验证；对比传统线切割，切割速度更快、材料损耗更少，能提升碳化硅晶锭的出片数量。
• 产线复用方案：依托成熟硅 300 mm 产线设备进行工艺改造，不需要全新定制设备，方便后续快速爬坡产能。
• 器件定位：沿用英飞凌 CoolSiC 沟槽栅技术，面向车载主逆变器、光伏储能、工业电源、AI 数据中心供电等高功率场景。

晶圆尺寸对比

产业带来的影响

• 长期降本通道打开：同等工艺条件下，一片 12 英寸晶圆可以切出远多于 8 英寸的芯片，如果良率稳住，碳化硅器件单价会有明显下行空间，有利于新能源车、储能大规模普及。
• 宽禁带赛道竞争升级：氮化镓这边英飞凌已经在推进 12 英寸产线，现在碳化硅同步突破，巩固其在功率半导体的龙头位置；其他三代半厂商后续也会加速跟进大尺寸路线。
• 供应链变化：大尺寸衬底会成为接下来的争抢重点，衬底厂商的晶锭生长、切割能力会变成核心竞争指标。
• 落地节奏区分：目前只是工艺可行性验证，不是立刻大批量出货；正式量产爬坡还要经过可靠性认证、客户送样，距离大规模商用还有数年周期。

落地推进路线

现阶段优先完成工艺验证、可靠性摸底、客户样品测试；后续逐步把成熟的 CoolSiC 产品迁移到 12 英寸平台；同步推广冷切割技术，改善上游衬底供给；长期目标是和 8 英寸产线并行，根据成本、订单切换，最终逐步向大尺寸过渡。

【相关 FAQ】

问题 1：英飞凌这次落地的 12 英寸碳化硅功能器件，为什么被称作宽禁带制造里程碑？

回答 1：英飞凌是全球首家在标准全尺寸晶圆厂完成 12 英寸碳化硅功能器件加工的企业，证明大尺寸碳化硅可以复用成熟硅产线制造，打通碳化硅往更低成本、更大规模量产升级的关键一环，因此成为宽禁带制造里程碑。

问题 2：英飞凌配套验证的 12 英寸碳化硅冷切割技术，对比传统线切割好在哪里？

回答 2：英飞凌配套验证的碳化硅冷切割技术，切割耗时更短，同时减少碳化硅晶锭切片过程中的材料损耗，提升单根晶锭能够产出的衬底数量，帮助降低上游衬底成本。

问题 3：英飞凌 12 英寸碳化硅功能器件现在是不是已经可以大规模供货？

回答 3：英飞凌完成的是 12 英寸碳化硅功能器件工艺可行性验证，属于技术里程碑，暂时没有进入大规模量产阶段，后续还需要可靠性认证、送样，距离批量商用还有一段时间。

【参考资料】

[2026-11-11]（全球首家！英飞凌 12 英寸碳化硅功能器件落地，宽禁带制造再迎里程碑）电子工程专辑

[2026-11-10]（英飞凌展示业界首款基于 300 mm 碳化硅晶圆制造的功能性功率器件）电子工程世界

[2026-11-09]（Infineon Marks Innovation Milestone With World’s First 300-millimeter Power Silicon Carbide Wafer）PRZOOM

[2026-11-09]（12 英寸碳化硅提速：四项技术突破，三大新机遇）行家说三代半

【免责声明】

本文仅整理英飞凌官方发布与行业公开报道，英飞凌 12 英寸碳化硅功能器件良率、量产时间表、定价以及客户导入进度尚未最终确定；大尺寸碳化硅产业化还受衬底供给、工艺迭代、下游认证等多重因素制约，内容不构成设备、材料、个股投资建议。