三星定下时间节点，计划在 2027 年初完成下一代先进封装 3D Cube-H 的全套技术开发，同步放出配套设计工具包，之后开放给大客户做方案评估，这套封装核心是无凸块混合铜键合，目标互连间距做到 6 微米，用来垂直堆叠逻辑芯片，主打 AI、高性能计算场景，用来跟上台积电、英特尔的先进封装竞争节奏。现在三星已经有成熟的 3D Cube-T，用的是传统热压键合，最小互连间距只能做到 25 微米，带宽、功耗、集成密度已经慢慢跟不上超大模型芯片需求，而混合键合去掉了微凸块，铜和铜直接对接，连接数量大幅提升，信号路径变短，传输能耗下降，散热条件也更好；整个项目推进节奏是先完成工艺、材料、良率验证，交付设计套件，再进入客户联合调试，之后才会排量产计划，不是开发完立刻大规模上线；放到产业里看，先进封装已经是除了制程之外最重要的赛道，三星想靠 3D Cube-H 拿到更多 AI 逻辑芯片代工订单，实现逻辑芯片和 HBM 更紧密的垂直集成，降低大芯片的制造风险，不用一味去硬冲更窄的光刻工艺。
一、3D Cube-H 基础技术要点清单
- 核心工艺：无凸块混合铜键合（Hybrid Copper Bonding）
- 目标互连间距：≤6μm，对比 Cube-T 的 25μm 大幅缩小
- 堆叠方式：沿 Z 轴垂直堆叠逻辑裸片，搭配 TSV 硅通孔
- 配套输出：2027 年初交付首版设计套件 DK
- 主攻场景：AI 加速器、GPU、HPC，支持逻辑芯片与 HBM 垂直异构集成
- 核心收益：互连密度更高、信号延迟更低、单比特传输功耗下降、封装体积缩小
二、3D Cube-H 与上代 3D Cube-T 对比
| 项目 | 3D Cube-T | 3D Cube-H |
|---|---|---|
| 键合方式 | 热压键合 TCB，带微凸块 | 混合铜键合，无凸块 |
| 最小互连间距 | 25μm | 目标 6μm 以内 |
| 结构特点 | 依靠焊盘凸块连接 | 铜铜直接融合，消除凸块间隙 |
| 优势 | 工艺成熟、良率可控，可量产 | 密度高、功耗优、散热更好 |
| 短板 | 互连数量上限低，信号损耗大 | 工艺难度更高，良率验证周期更长 |
| 阶段 | 已经落地商用 | 研发中，2027 年初完成开发 |
三、开发落地时间线
- 当前阶段（2026）：材料、键合工艺、对位精度、可靠性测试持续验证
- 2027 年初：完成 3D Cube-H 技术开发，对外释放设计套件
- 套件交付后：面向头部 AI 客户开展联合方案评估、流片验证
- 后续阶段：根据客户反馈迭代，完成良率爬坡，敲定量产时间表
四、混合键合相比传统微凸块方案的好处
- 连接密度暴涨：同样面积可以塞更多互连通道，带宽上限显著拉高；
- 传输功耗降低：去掉焊料、凸块带来的寄生电阻，数据跑起来更省电；
- 散热改善：界面没有多层介质与焊料，热阻更低，适合高功耗 AI 芯片；
- 结构更紧凑：省去凸块高度，整套堆叠厚度变薄，方便高密度异构集成；
- 适配长期路线：方便把逻辑芯片直接叠在 HBM 上方，缩短算力和内存之间的数据距离。
五、产业竞争定位
- 对标对手：台积电 SoIC、英特尔 EMIB/Foveros 混合键合路线；
- 和 HBM 的关系：HBM 本身是存储堆叠，3D Cube-H 是逻辑芯片的异构堆叠方案，可以搭配 HBM 做一体化系统；
- 三星的目标：把先进封装当成代工业务的差异化卖点，吸引 AI 芯片客户，不只是卖存储。
六、现存风险与约束
- 工艺门槛高：混合键合对晶圆平整度、对位精度、洁净度要求极高，良率爬坡难度大；
- 成本压力：前期设备、材料投入高，短期方案成本会高于成熟的热压键合；
- 量产时间不确定：开发完成不等于量产，客户验证、可靠性认证会拉长落地周期；
- 生态配套：EDA、仿真、测试工具都需要同步适配，整个链条建设需要时间。
【相关 FAQ】
问题 1：三星计划 2027 年初完成开发的 3D Cube-H 先进封装，核心采用什么技术？
回答 1：三星计划 2027 年初完成开发的 3D Cube-H 先进封装，核心采用无凸块混合铜键合技术，目标实现 6 微米的超细互连间距，支持逻辑芯片垂直堆叠，面向 AI 与高性能计算。
问题 2：三星 3D Cube-H 先进封装，和已经量产的 3D Cube-T 最大差别在哪？
回答 2：三星 3D Cube-H 先进封装使用混合铜键合，取消微凸块，互连间距压缩到 6 微米；而 3D Cube-T 是热压键合方案，最小间距 25 微米，密度、功耗、散热能力弱于 Cube-H。
问题 3：三星开发 3D Cube-H 先进封装，主要是用来做什么样的芯片组合？
回答 3：三星开发 3D Cube-H 先进封装，主要用来垂直堆叠多颗逻辑裸片，也支持逻辑芯片和 HBM 高带宽内存异构集成，用于 AI 加速器、GPU 这类高性能算力芯片。
问题 4：三星在 2027 年初完成 3D Cube-H 先进封装开发之后，是不是马上就可以大规模量产？
回答 4：三星 2027 年初完成 3D Cube-H 先进封装开发，只是交付设计套件给客户评估、联合流片，还要走完良率、可靠性验证，不会直接进入大规模量产阶段。
【参考资料】
[2026-11-11]（Samsung Reportedly Eyes Early 2027 for 3D Cube-H Advanced Packaging Development）TrendForce
[2026-11-10]（三星电子计划 2027 年初完成 3D Cube-H 开发 互连间距目标约 6 微米）新浪财经
[2026-11-10]（三星拟明年初完成 3D Cube-H 开发）CNMO 科技
[2026-11-10]（三星加快推进先进封装技术：计划明年初完成 3D Cube-H 开发）超能网
[2026-08-04]（Advanced Heterogeneous Integration）三星半导体官网
【免责声明】
本文基于 TrendForce、行业媒体以及三星半导体公开页面整理 3D Cube-H 先进封装信息，开发进度、参数指标、量产节点仍存在调整可能；最终工艺参数、交付时间、客户方案以三星官方正式公告为准；本文仅用于半导体行业技术资讯交流，不构成设备、芯片、代工相关投资建议。