光刻大战开启，三星、SK 海力士重金争抢 EUV 光刻机产能

AI 算力爆发带动 HBM、高端 DRAM 需求暴涨，三星和 SK 海力士正在大手笔向 ASML 下单锁定 EUV 光刻机排期，两家各自计划投入 10 万亿至 20 万亿韩元，目标抢下 2027 至 2028 年稀缺的 EUV 产能，用来推进 1c DRAM、HBM4 以及下一代 0a DRAM 制程，ASML 已经明确预警，就算持续扩产，2027、2028 两年 EUV 供给依然跟不上客户订单，设备交付周期直接翻倍，能不能拿到光刻机，直接决定存储厂商新产线能不能按时投产。现在先进 DRAM 制程越往下面缩，单颗晶圆需要 EUV 曝光的层数变多，老一代 DRAM 只用 3 层 EUV，1c DRAM 要用到 5 层以上，单条产线对 EUV 机台的需求量明显上涨；同时 AI 服务器持续拉动 HBM 需求，HBM 又高度依赖先进 DRAM，存储厂商不敢慢一步，而 EUV 只有 ASML 能造，产能爬坡很慢，台积电、英特尔、三星、SK 海力士全都在抢配额，这一轮存储厂商的资本开支竞争，本质就是抢 EUV 产能的竞争。

两家厂商 EUV 采购与产线规划表

行业供给现状清单

• ASML 2026 年 EUV 出货约 65 台，2025 年是 44 台，增幅接近 50%，但缺口依旧很大
• 存储器客户在 ASML 三季度整机销售占比已经达到 46%，权重快速抬升
• 高 NA EUV 成本更高，三星计划 2028 年在 DRAM 量产导入高 NA EUV
• 交期拉长，部分订单已经开始锁定 2029 年的产能配额

产能争夺的跟进步骤

1. 跟踪 ASML 财报，确认 EUV 出货、产能爬坡、高 NA 交付节奏
2. 观察三星、SK 海力士资本开支公告，看是否追加 EUV 订单
3. 关注 1c DRAM 良率进展，判断 EUV 实际消耗速度
4. 留意台积电、英特尔的 EUV 配额变化，看逻辑芯片厂商会不会挤压存储配额

整体小结

这场 EUV 产能争夺战，核心驱动力是 AI 带来的 HBM 红利，EUV 已经变成先进 DRAM 扩产的硬门槛，拿到排期就能优先释放产能，晚一步就会错过存储上行周期，后续 EUV 涨价、设备交付延期的风险会持续存在。

【相关 FAQ】

问题 1：三星、SK 海力士重金争夺 EUV 产能，主要是用来生产什么芯片？

回答 1：三星、SK 海力士重金争夺 EUV 产能，核心是生产先进 DRAM，包括 1c DRAM，还有配套 AI 的 HBM4 等高带宽存储芯片。

问题 2：ASML 明明在扩产 EUV，为什么三星还要抢 EUV 产能？

回答 2：虽然 ASML 持续扩产 EUV，但 AI 带动 HBM、先进 DRAM 需求爆发，同时先进制程单条产线 EUV 机台消耗变多，EUV 产能依旧供不应求，所以三星要提前锁定 EUV 产能。

问题 3：三星争夺 EUV 产能的平泽 P5 工厂，预计什么时候投产？

回答 3：三星争夺 EUV 产能配套的平泽 P5 工厂，计划 2028 年投产，洁净室预计 2027 上半年完工，EUV 设备会同步进场安装调试。

问题 4：高 NA EUV 和普通 EUV 有什么区别，三星什么时候用高 NA EUV？

回答 4：高 NA EUV 分辨率更高，适合更下一代微缩制程，三星计划 2028 年在 DRAM 产线导入高 NA EUV，也是本次 EUV 产能争夺里的长期布局方向。

【参考资料】

[2026-11-10]（光刻大战开打！三星等重金争夺 EUV 产能）集微网

[2026-11-10]（三星、SK 海力士争抢 EUV 交付配额 加码先进 DRAM 扩产）新浪财经

[2026-11-10]（存储双雄争夺 EUV 光刻机 以支撑先进 DRAM 扩产）财联社

[2026-11-10]（三星 SK 海力士争抢 EUV 配额 各投超 10 万亿韩元扩产 DRAM）ZAKER

[2026-11-09]（三星、SK 海力士加紧采购，EUV 设备交期越来越紧张）36 氪

[2026-11-09]（Samsung, SK hynix Reportedly Race for ASML EUV Amid 2027–2028 Shortages）TrendForce

【免责声明】

本文内容仅为半导体产业资讯整理，三星、SK 海力士 EUV 订单金额、交付排期、产线投产时间以 ASML、三星、SK 海力士官方公告为准，EUV 供给、存储周期波动较大，不构成投资、采购参考。