媒体 The Information 此前传出消息，称英伟达向台积电提出需求，推动台积电研发 3D DRAM 存储芯片，由负责先进封装业务的副总裁徐国晋牵头。台积电随后公开澄清否认该传闻，强调公司核心定位是逻辑晶圆代工，不会转型去做独立 DRAM 存储制造，和三星、SK 海力士、美光正面竞争存储生意；但这不代表台积电放弃存储相关技术预研，BEOL 后段内嵌内存、面向 2029 年的 3D DRAM（DRAM-on-logic）技术路线仍在同步推进，两条路线解决的是芯片体系里不同层级的存储瓶颈，服务 AI 算力芯片的内存墙问题。台积电的 3D DRAM 路线目标是实现低于 1pJ/bit 的能耗，带宽达到 HBM5E 的 3 倍，核心是把 DRAM 存储阵列和逻辑晶圆做高密度垂直键合；而 BEOL 内存是嵌入在逻辑芯片后段互连层的新型缓存，用来替代传统 SRAM，解决 GPU 内部缓存容量不足、面积开销大的痛点，二者定位完全不同。徐国晋团队同时负责这两条存储技术预研，是从先进封装、异质集成角度做技术储备，并非承接英伟达订单专门投产 DRAM。
BEOL 内存与 3D DRAM 对比表
| 项目 | BEOL 内存（后段内嵌内存） | 2029 路线 3D DRAM（DRAM-on-logic） |
|---|---|---|
| 定位 | 片内缓存，替代 SRAM | 片外 / 堆叠大容量主内存，对标下一代 HBM |
| 部署位置 | 逻辑芯片内部互连层 | 存储晶圆与逻辑晶圆垂直键合堆叠 |
| 核心价值 | 提升芯片内置缓存容量、节省芯片面积 | 大幅拉高带宽、降低访存功耗，服务 AI 大算力 |
| 架构特点 | 1T1C 单元，嵌入后段制程 | DRAM 阵列垂直堆叠，混合键合 |
| 解决痛点 | SRAM 单元面积大、难以继续微缩 | 传统 HBM 带宽、功耗逼近物理上限 |
核心信息清单
- 传闻源头：The Information 报道，称英伟达要求台积电开发 3D DRAM，应对 AI 算力紧缺、HBM 供给紧张的局面
- 台积电官方口径：专注逻辑代工，不会应英伟达要求切入 DRAM 制造业务，不做存储厂商
- BEOL 内存进展：处于实验阶段，A14 节点单元面积 0.017μm²，电压 0.75V，读写周期＜8ns，耐久性极高
- 3D DRAM 路线指标：2029 年目标，带宽约 HBM5E 的 3 倍，能耗＜1pJ/bit
- 业务边界：台积电依旧和传统存储厂商合作，依托 CoWoS 先进封装做 HBM 集成，不自己量产独立 DRAM 芯片
两条技术路线落地逻辑
- BEOL 内嵌内存：优先落地，给 GPU、AI 加速器增加片上高速缓存，缓解高频访问小数据的延迟压力，属于逻辑芯片配套缓存技术
- 3D DRAM（DRAM-on-logic）：长期远期路线，技术难度更高，属于异质集成，台积电角色偏向 “逻辑 + 存储混合键合代工”，而不是独立生产 DRAM 裸片
- 合作模式：未来即便 3D DRAM 落地，大概率仍是存储厂商提供 DRAM 阵列晶圆，台积电负责逻辑晶圆、混合键合与先进封装代工
行业影响与风险
- 利好：区分开 “代工集成” 和 “自研存储”，打消存储厂商对台积电跨界抢 DRAM 生意的担忧；给英伟达等 AI 客户提供长期存储技术备选方案
- 风险：3D DRAM 工艺复杂、良率挑战大，2029 只是路线目标，量产时间存在变数；BEOL 内存也需要长期验证，短期内无法替代 HBM
【相关 FAQ】
问题 1：台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM，坚守逻辑代工主业，BEOL 内嵌内存与 2029 年 3D DRAM 技术路线并行研发，台积电否认的是什么？
回答 1：台积电否认应英伟达的要求启动 3D DRAM 研发、转型做 DRAM 存储芯片制造，强调自身主业是逻辑晶圆代工，不会和三星、SK 海力士、美光这类存储厂商直接竞争。
问题 2：台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM，坚守逻辑代工主业，BEOL 内嵌内存与 2029 年 3D DRAM 技术路线并行研发，BEOL 内存和 3D DRAM 有什么区别？
回答 2：BEOL 内存是放在逻辑芯片内部、用来替代 SRAM 的片上缓存；3D DRAM 是大容量主内存，通过存储晶圆和逻辑晶圆垂直堆叠，对标下一代 HBM，二者解决的是不同层级的存储瓶颈。
问题 3：台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM，坚守逻辑代工主业，BEOL 内嵌内存与 2029 年 3D DRAM 技术路线并行研发，台积电 3D DRAM 路线目标是什么？
回答 3：台积电 3D DRAM 路线锚定 2029 年，目标做到能耗低于 1pJ/bit，带宽约为 HBM5E 的 3 倍，主打逻辑与 DRAM 异质键合集成。
问题 4：台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM，坚守逻辑代工主业，BEOL 内嵌内存与 2029 年 3D DRAM 技术路线并行研发，台积电还会继续做 HBM 相关业务吗？
回答 4：会，台积电仍然持续和三星、SK 海力士、美光合作，依靠 CoWoS 先进封装，把存储厂商的 HBM 和 GPU 逻辑芯片封装在一起，这是现有成熟业务，不会改变。
问题 5：台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM，坚守逻辑代工主业，BEOL 内嵌内存与 2029 年 3D DRAM 技术路线并行研发，这条 3D DRAM 路线是台积电自己造 DRAM 吗？
回答 5：不是，这条路线的定位偏向异质集成代工，更可能是存储厂商提供 DRAM 阵列晶圆，台积电负责逻辑晶圆、混合键合与先进封装，台积电不独立生产 DRAM 裸片。
【参考资料】
[2026-11-09]（台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM：专注逻辑代工不动摇，但 BEOL 内存与 2029 年 3D DRAM 路线图正并行推进）电子工程专辑
[2026-11-09]（台积电 BEOL 内存杀到！0.017 平方微米单元面积硬刚 3D DRAM）新浪财经
[2026-11-08]（消息称英伟达要求台积电开发 3D DRAM，台积电官方回应）IT 之家
[2026-11-09]（DRAM-on-logic 列入 2029 路线图，台积电的存储布局怎么理解）虎嗅网
【免责声明】
本内容仅整理公开媒体报道与台积电对外表态，不构成投资、供应链选型建议；3D DRAM、BEOL 内存均属于前沿预研技术，2029 仅为路线目标，量产时间、良率、最终指标存在不确定性；最终业务边界、产品规格以台积电官方公告为准。