季丰电子检查芯片损坏，整体是按照先无损、后电性定位、再做有损解剖验证的顺序开展，优先保证不会把原本还能排查问题的芯片二次弄坏，再一步步锁定损坏位置、确认损坏类型和根本原因。很多芯片损坏不是肉眼能直接看出来的，有的是封装内部空洞、分层，有的是晶圆线路短路、漏电，还有间歇性失效，需要搭配不同设备分层排查，整套流程做完之后会输出完整失效分析报告，写明芯片是否损坏、损坏点位、失效机理和对应的改善建议。
一、非破坏性检查（不破坏芯片封装）
这是第一步筛查，芯片保持原样不开封，用来先排除封装层面的损坏问题。
- SAT 超声扫描：检测封装分层、空洞、焊球脱粘、内部裂纹这类封装缺陷
- 2D/3D X-Ray：透视看内部引线、BGA 焊球、堆叠结构，查找断线、虚焊、异物
- 3D 光学显微镜 OM：观察芯片表面划痕、烧蚀、引脚变形、污染等外观异常
二、电性测试与失效热点定位
无损检查发现疑点或者没有明显外观问题时，通电测电性能，找到芯片内部异常发热、漏电的点位。
- ATE / 探针台 I-V 测试：测电压、电流、功能，确认芯片功能失效、漏电、开路、短路
- EMMI 微光显微镜、OBIRCH、InGaAs、Thermal EMMI：定位漏电、击穿产生的热点，找到芯片内部损坏区域
- NanoProber 纳米探针：先进制程芯片，直接在器件层级测晶体管信号，定位纳米级线路缺陷
三、样品制备（开封制样，属于有损环节）
锁定大致失效区域之后，对芯片做开盖处理，露出晶圆裸片，方便进一步观察。
- 激光开封、化学开封两种方式，按需选用
- 研磨抛光、离子束刻蚀、FIB 聚焦离子束切片，逐层剥离金属层、介质层
四、微观结构观察与确认损坏原因
制样完成后，用高分辨设备看微观结构，最终确认芯片损坏的真实情况。
- SEM 扫描电镜：观察金属线熔断、介质击穿、晶粒损伤、腐蚀等形貌
- TEM 透射电镜：看纳米级薄层结构、晶格损伤，适合先进制程微小失效点
- EBAC 电流成像：专门查找隐性铜桥、线路短路这类间歇性失效缺陷
五、结果汇总出报告
把前面所有测试数据、图片、定位信息整合，区分是静电 ESD 损伤、电过压烧毁、工艺缺陷、封装应力损坏，还是可靠性老化失效，给到客户结论。
【相关 FAQ】
问题 1：季丰电子检查芯片损坏会直接拆开芯片吗？
回答 1：不会，季丰电子检查芯片损坏优先走非破坏性检测，只有无损筛查、电性定位找到可疑失效区域之后，才会选择开封制样，避免过早解剖造成芯片二次损伤，影响芯片损坏原因判断。
问题 2：季丰电子用 EMMI 设备在芯片损坏检查里起到什么作用？
回答 2：季丰电子用 EMMI 微光显微镜做芯片损坏检查，主要用来捕捉芯片通电时漏电、击穿产生的微光热点，快速定位芯片内部看不见的漏电、短路损坏点位，是电性失效定位的核心设备。
问题 3：季丰电子可以检查间歇性失效这类很难复现的芯片损坏吗？
回答 3：可以，季丰电子在芯片损坏检查流程里搭配 NanoProber 纳米探针、EBAC 成像、高低温电性测试，配合多次复测，能够捕捉、定位间歇性短路、漏电这类复现难度高的芯片损坏问题。
【参考资料】
[2026-09-18]（上海季丰电子股份有限公司首次公开发行股票并在创业板上市申请文件的第二轮审核问询函的回复）东方财富研报中心
[2026-07-21]（季丰电子基于日立 NanoProber 设备攻克先进制程芯片失效分析的核心痛点）电子发烧友网
[未知]（失效分析）季丰电子官网
【免责声明】
本文信息仅整理自公开资料，仅作技术科普参考，不代表季丰电子定制检测方案，芯片损坏检测方案需要结合样品状态、客户需求由实验室评估确定，不构成商业承诺。